Infineon 2ED2106S06FXUMA1 MOSFET Gate Driver 2, 290 mA 8-Pin 20 V, DSO

Se alla Gate Drivers
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

70,14 kr

(exkl. moms)

87,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 380 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 407,014 kr70,14 kr
50 - 906,664 kr66,64 kr
100 - 2406,384 kr63,84 kr
250 - 4906,104 kr61,04 kr
500 +5,69 kr56,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6020
Tillv. art.nr:
2ED2106S06FXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Output Current

290mA

Pin Count

8

Package Type

DSO

Fall Time

80ns

Number of Outputs

2

Driver Type

MOSFET

Rise Time

100ns

Minimum Supply Voltage

20V

Number of Drivers

2

Maximum Supply Voltage

20V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Height

1.72mm

Length

4.9mm

Series

2ED2106S06F

Width

3.9 mm

Standards/Approvals

No

Mount Type

Surface

Automotive Standard

No

The Infineon 2ED2106S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. It is based on SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative voltages of up to - 11 Von VS pin on transient voltage. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.

Floating channel designed for bootstrap operation

Operating voltages (VS node) upto + 650 V

Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V

Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode

relaterade länkar