Renesas Electronics MOSFET, Gate-drivarmodul, 1.69 mA, 10 Ben 100 V, SOIC

Se alla Gate-drivare
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

91,37 kr

(exkl. moms)

114,21 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 170 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2018,274 kr91,37 kr
25 - 4515,59 kr77,95 kr
50 - 9515,30 kr76,50 kr
100 - 24513,148 kr65,74 kr
250 +12,50 kr62,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-3550
Tillv. art.nr:
HIP2210FRTZ
Tillverkare / varumärke:
Renesas Electronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Renesas Electronics

Produkttyp

Gate-drivarmodul

Utström

1.69mA

Antal ben

10

Kapseltyp

SOIC

Falltid

790ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

20ns

Minsta matningsspänning

100V

Maximal matningsspänning

100V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Bredd

4 mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

1.75mm

Serie

HIP2210

Längd

5mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Renesas Electronics high-frequency half-bridge NMOS FET drivers. This is a tri-level PWM input with programmable dead time. Its wide operating supply range of 6V to

18V and integrated high-side bootstrap diodecsupports driving the high-side and low-side NMOS in 100V half-bridge applications.

Integrated 0.5Ω typical bootstrap diode

Robust noise tolerance

VDD and boot undervoltage lockout

Relaterade länkar