Renesas Electronics MOSFET, Gate-drivarmodul, 1.69 mA, 10 Ben 100 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 264-3549
- Tillv. art.nr:
- HIP2210FRTZ
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 750 enheter)*
11 566,50 kr
(exkl. moms)
14 458,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 750 - 2250 | 15,422 kr | 11 566,50 kr |
| 3000 + | 14,984 kr | 11 238,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-3549
- Tillv. art.nr:
- HIP2210FRTZ
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Renesas Electronics | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 1.69mA | |
| Antal ben | 10 | |
| Falltid | 790ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 20ns | |
| Minsta matningsspänning | 100V | |
| Maximal matningsspänning | 100V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Serie | HIP2210 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Bredd | 4 mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Renesas Electronics | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 1.69mA | ||
Antal ben 10 | ||
Falltid 790ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 20ns | ||
Minsta matningsspänning 100V | ||
Maximal matningsspänning 100V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Serie HIP2210 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 1.75mm | ||
Bredd 4 mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Renesas Electronics high-frequency half-bridge NMOS FET drivers. This is a tri-level PWM input with programmable dead time. Its wide operating supply range of 6V to
18V and integrated high-side bootstrap diodecsupports driving the high-side and low-side NMOS in 100V half-bridge applications.
Integrated 0.5Ω typical bootstrap diode
Robust noise tolerance
VDD and boot undervoltage lockout
Relaterade länkar
- Renesas Electronics MOSFET, Gate-drivarmodul, 1.69 mA, 10 Ben 100 V, SOIC
- Renesas Electronics MOSFET, Gate-drivarmodul, 20 Ben 15 V, SOIC
- Renesas Electronics MOSFET, Gate-drivarmodul, 185 μA, 24 Ben 15 V, SOIC
- Renesas Electronics MOSFET, Gate-drivarmodul, 3 A, 8 Ben 100 V, SOIC
- Renesas Electronics Halvbrygga, Gate-drivarmodul 2, 4 A, 10 Ben 18 V, TDFN
- Renesas Electronics Halvbrygga, Gate-drivarmodul 2, 2 A, 8 Ben 14 V dc, SOIC
- Microchip MOSFET, Gate-drivarmodul 1, 8 Ben 30 V, SOIC
- Renesas Electronics, Gate-drivarmodul, 1 A, 16 Ben 7 V