Renesas Electronics MOSFET, Gate-drivarmodul, 1.69 mA, 10 Ben 100 V, SOIC

Se alla Gate-drivare
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 750 enheter)*

11 566,50 kr

(exkl. moms)

14 458,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
750 - 225015,422 kr11 566,50 kr
3000 +14,984 kr11 238,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
264-3549
Tillv. art.nr:
HIP2210FRTZ
Tillverkare / varumärke:
Renesas Electronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Renesas Electronics

Produkttyp

Gate-drivarmodul

Utström

1.69mA

Antal ben

10

Falltid

790ns

Kapseltyp

SOIC

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

20ns

Minsta matningsspänning

100V

Maximal matningsspänning

100V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

HIP2210

Höjd

1.75mm

Fordonsstandard

Nej

Renesas Electronics högfrekventa NMOS FET-drivare med halvbrygga. Detta är en PWM-ingång med tre nivåer med programmerbar dödtid. Dess breda strömförsörjningsområde på 6 V till

18 V och integrerad high-side bootstrap-diodstöd för drift av high-side- och low-side NMOS i 100 V-halvbrygga-tillämpningar.

Integrerad 0,5 Ω typisk bootstrap-diod

Robust brusstolerans

Spärrning av DVD- och boot-underspänning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.