Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 600 A, 8 Ben 20V, SOIC

Infineon EiceDRIVER 200 V hög- och lågsidig grinddrivare IC med typiska 0,29 A källströmmar och 0,6 A sänkströmmar i 8-ledars SOIC-paket för IGBT:er och MOSFET:er. Finns även i 14-ledars MLPQ 4x4-paket. Gate-drivkretsen för hög och låg sida är en 200 V nivåförskjutningskopplingsisolerad MOSFET-drivkrets med beroende hög och låg sida refererade utgångskanaler. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik. Utgångsdrivarna har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren. Den flytande kanalen kan användas för att driva en N-kanals effekt-MOSFET i högkonfigurationen som drivs upp till 200 V. Propagationsfördröjningar matchas för att förenkla HVIC: s användning i högfrekvenstillämpningar.

Underspänningsspärr för VCC, VBS