Infineon Gate-drivare, Grinddrivare, IC, 600 mA, 8 Ben 20V, SOIC

Denna gate-drivkrets IC ger gate-drivkrets för effekt-MOSFET och liknande omkopplingsenheter i en lågspänningsmatningsmiljö. Den drivs med en matningsspänning på 10 V till 20 V och är avsedd för industriella tillämpningar som kräver ett kompakt 8-stifts SOIC-paket och utökad omgivningstemperaturkapacitet.

• 0,60 A utgångsström ger tillförlitlig MOSFET-grindomkopplingsprestanda
• Minsta strömförsörjning på 10 V möjliggör drift från vanliga skenor
• 20 V maximal matningstolererar högre gate-drivningsspänningar för bredare användning
• 170 ns stigtid med stöd för kontrollerad påslagning för att minska överskjutning
• Falltid på 30 ns möjliggör snabb avstängning för effektiv omkoppling

• Används med effekt-MOSFET:er i industriella omvandlare
• Lämplig för lågspänningsgrindsteg för motordrivning
• Idealisk för omkopplingssteg i strömförsörjningsmoduler
• Kan användas för grindstyrning vid DC/DC-omvandling

Enheten levereras i en 8-stifts SOIC som passar standardhålmonteringsmönster och kompakta ytmonteringslayouter.

Den är klassad för drift i ett intervall från -40 °C upp till 125 °C för att passa krävande termiska miljöer.

Den specificerade stigtiden på 170 ns och falltiden på 30 ns påverkar grindladdningstider och omkopplingsförluster, vilket informerar val av dämpare och grindmotstånd.

Det är inte specificerat som en komponent av fordonskvalitet och bör utvärderas därefter för fordonstillämpningar.