Infineon Hög sida, Gate-drivare, 2.3 A, 8 Ben 600 V, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 95 enheter)*

1 293,90 kr

(exkl. moms)

1 616,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
95 - 9513,62 kr1 293,90 kr
190 - 38012,939 kr1 229,21 kr
475 +12,667 kr1 203,37 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5600
Tillv. art.nr:
IRS2181SPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Gate-drivare

Utström

2.3A

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

20ns

Typ av drivsteg

Hög sida

Stigtid

60ns

Minsta matningsspänning

10V

Maximal matningsspänning

600V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

IRS

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon high and low side driver are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600 V

Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to +600 V

Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

Gate drive supply range from 10 V to 20 V

Under voltage lockout for both channels

33 V and 5 V input logic compatible

Matched propagation delay for both channels

Logic and power ground +/- 5 V offset

Lower di/dt gate driver for better noise immunity

Output source/sink current capability 14 A/18 A

Relaterade länkar