Infineon MOSFET, MOSFET, 1.8 A, 8 Ben 625 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 258-3942
- Tillv. art.nr:
- IR2183STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
22 982,50 kr
(exkl. moms)
28 727,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 9,193 kr | 22 982,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3942
- Tillv. art.nr:
- IR2183STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 1.8A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 20ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 40ns | |
| Minsta matningsspänning | -0.3V | |
| Maximal matningsspänning | 625V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | IR21xx | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 1.8A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 20ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 40ns | ||
Minsta matningsspänning -0.3V | ||
Maximal matningsspänning 625V | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie IR21xx | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon half bridge driver are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.
Gate drive supply range from 10 to 20V
Under voltage lockout for both channels
3.3V and 5V input logic compatible
Matched propagation delay for both channels
Logic and power ground +/- 5V offset.
Lower di/dt gate driver for better noise immunity
Output source/sink current capability 1.4A/1.8A
Also available LEAD-FREE
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.8 A, 8 Ben 625 V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 260 mA, 8 Ben 625 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.8 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 8 Ben 625 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare, 600 mA, 8 Ben 625 V, SOIC
- Infineon, Gate-drivarmodul, 500 A, 8 Ben 625 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 8 Ben 20 V, SOIC-8
- Infineon MOSFET, MOSFET, 8 Ben 600 V, SOIC