Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 500 mA, 14 Ben 600 V, DSO-14
- RS-artikelnummer:
- 244-0872
- Tillv. art.nr:
- 2EDL05N06PJXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
15 940,00 kr
(exkl. moms)
19 925,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,376 kr | 15 940,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-0872
- Tillv. art.nr:
- 2EDL05N06PJXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 500mA | |
| Antal ben | 14 | |
| Falltid | 40ns | |
| Kapseltyp | DSO-14 | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Minsta matningsspänning | 600V | |
| Maximal matningsspänning | 600V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | DIN EN 60747-5-2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 500mA | ||
Antal ben 14 | ||
Falltid 40ns | ||
Kapseltyp DSO-14 | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Minsta matningsspänning 600V | ||
Maximal matningsspänning 600V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden DIN EN 60747-5-2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode has unique Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI)-Technology provides excellent ruggedness and noise immunity. The Schmitt trigger logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL logic down to 3.3 V. The output drivers features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V. Additionally, the offline clamping function provides an inherent protection of the parasitic turn-on by floating gate conditions when IC is not supplied.
Infineon thin-film-SOI-technology
Fully operational to +600 V
Floating channel designed for bootstrap operation
Gate drive supply range from 10 V to 20 V
Undervoltage lockout for both channels
3.3 V, 5 V and 15 V input logic compatible
RoHS compliant
