Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 500 mA, 14 Ben 600 V, DSO-14

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

31,70 kr

(exkl. moms)

39,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 474 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1815,85 kr31,70 kr
20 - 4813,33 kr26,66 kr
50 - 9812,49 kr24,98 kr
100 - 19811,76 kr23,52 kr
200 +10,81 kr21,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-0873
Tillv. art.nr:
2EDL05N06PJXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Gate-drivarmodul

Utström

500mA

Antal ben

14

Falltid

40ns

Kapseltyp

DSO-14

Typ av drivsteg

Gate-drivare

Minsta matningsspänning

600V

Maximal matningsspänning

600V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

DIN EN 60747-5-2

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode has unique Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI)-Technology provides excellent ruggedness and noise immunity. The Schmitt trigger logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL logic down to 3.3 V. The output drivers features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V. Additionally, the offline clamping function provides an inherent protection of the parasitic turn-on by floating gate conditions when IC is not supplied.

Infineon thin-film-SOI-technology

Fully operational to +600 V

Floating channel designed for bootstrap operation

Gate drive supply range from 10 V to 20 V

Undervoltage lockout for both channels

3.3 V, 5 V and 15 V input logic compatible

RoHS compliant

Relaterade länkar