Infineon MOSFET, MOSFET, 1.5 A, 11 Ben 11V, PG-VSON-10
- RS-artikelnummer:
- 240-8519
- Tillv. art.nr:
- 1EDN7126GXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
11 224,00 kr
(exkl. moms)
14 032,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 2,806 kr | 11 224,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 240-8519
- Tillv. art.nr:
- 1EDN7126GXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 1.5A | |
| Antal ben | 11 | |
| Falltid | 4ns | |
| Kapseltyp | PG-VSON-10 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Minsta matningsspänning | 11V | |
| Maximal matningsspänning | 11V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 1.5A | ||
Antal ben 11 | ||
Falltid 4ns | ||
Kapseltyp PG-VSON-10 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Minsta matningsspänning 11V | ||
Maximal matningsspänning 11V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon EiceDRIVERTM 1EDN7112G är en enkanals gate-drivkrets optimerad för kompatibilitet med CoolGaNTM HEMT, och den är också kompatibel med andra Schottky Gate (SG) GaN HEMT och Silicon MOSFET. Tack vare den verkligt differentiella ingångsfunktionen (TDI) styrs gate-drivkretsens utgångstillstånd uteslutande av spänningsskillnaden mellan de två ingångarna, helt oberoende av drivkretsens referenspotential (jord) så länge som common-mode-spänningen är under 150 V (statisk) och 200 V (dynamisk). Detta eliminerar risken för falsk utlösning på grund av jordremsa i låg-sidiga tillämpningar, samtidigt som 1EDN7112G kan hantera även hög-sidiga tillämpningar.
Undvik falsk utlösning vid drift på låg- eller hög sida
Högt common-mode-ingångsspänningsområde för drift på hög sida
Robust drift under snabba omkopplingstransienter
Kompatibel med 3,3 V- eller 5 V-ingångslogik
Aktiv Miller-klämma med 5 A-sänkförmåga för att undvika inducerad påslagning
Justerbar laddningspump för negativ avstängningsmatningsspänning
Lämplig för drivning av GaN HEMT- eller Si MOSFET-transistorer
Kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.5 A, 11 Ben 11 V, PG-VSON-10
- Infineon MOSFET, MOSFET, 500 mA, 11 Ben 11 V, PG-VSON-10
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1 A, 11 Ben 11 V, PG-VSON-10
- Infineon MOSFET, MOSFET, 2 A, 11 Ben 11 V, PG-VSON-10
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 4 Ben, PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 700 V Förbättring, 4 Ben, PG-VSON-4, IPL
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 76 A 100 V Förbättring, 6 Ben, PG-VSON-6, IGC033
- Infineon MOSFET, MOSFET, 48 Ben, PG-VQFN-48