Infineon MOSFET, MOSFET, 8.5 A, 16 Ben 5 V, PG-DSO-16
- RS-artikelnummer:
- 240-6373
- Tillv. art.nr:
- 1ED3323MC12NXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
34,27 kr
(exkl. moms)
42,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 642 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 34,27 kr |
| 10 - 24 | 32,82 kr |
| 25 - 49 | 31,81 kr |
| 50 - 99 | 29,79 kr |
| 100 + | 27,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 240-6373
- Tillv. art.nr:
- 1ED3323MC12NXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 8.5A | |
| Antal ben | 16 | |
| Falltid | 20ns | |
| Kapseltyp | PG-DSO-16 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Minsta matningsspänning | 3.3V | |
| Maximal matningsspänning | 5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 8.5A | ||
Antal ben 16 | ||
Falltid 20ns | ||
Kapseltyp PG-DSO-16 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Minsta matningsspänning 3.3V | ||
Maximal matningsspänning 5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 8,5 A, 5,7 kV rms isolerade grinddrivare med en kanal med kortslutningsskydd och aktiv Miller-klämma, UL 1577- och VDE 0884-11-certifierad. EiceDRIVERTM förbättrad enkanalig isolerad grinddrivare med typisk +6 A till -8,5 A käll- och sänkande topputgångsström i ett DSO-16 brett huspaket med 8 mm krypning för IGBT, MOSFET och SiC MOSFET. 1ED3323MC12N tillhör EiceDRIVERTM förbättrad 1ED332x-familj F3. 1ED3323 erbjuder kortslutningsskydd DESAT för IGBT och SiC MOSFET. Drivkretsen fungerar över ett brett matningsspänningsområde, antingen unipolär eller bipolär och har tät del-till-del-propagationsfördröjning.
Enkanals galvaniskt isolerad transformatorkärnlös CT-grinddrivare
Integrerade skyddsfunktioner, såsom kortslutningsskydd DESAT, sofftoff, aktiv Miller Clamp och aktiv avstängning
För användning med 600 V, 650 V, 1200 V, 1700 V , 2300 V IGBT, Si och SiC MOSFET
Upp till +6 A till -85 A typisk topputgångsström
40 V absolut maximal utgångsspänning VCC2
Hög CMTI-immunitet för transienter är större än 300 kV/μs
85 ns kort propagationsfördröjning
Tät IC-till-IC-propagationsfördröjning 15 ns max
33 V och 5 V ingångsmatningsspänning VCC1
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 8.5 A, 16 Ben 5 V, PG-DSO-16
- Infineon MOSFET, MOSFET, 18 A, 8 Ben 15 V, PG-DSO
- Infineon MOSFET, MOSFET, 10 A, 8 Ben 15 V, PG-DSO
- Infineon MOSFET, MOSFET 1, 10 A, 8 Ben 1800 V, PG-DSO
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET, 5.6 A, 8 Ben 5 V, PG-DSO-8
- Infineon MOSFET, MOSFET 1, 5.6 A, 8 Ben 15 V, PG-DSO-8
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 6 A, 16 Ben 25 V, PG-DSO-16
- Infineon MOSFET, MOSFET, 8 A, 16 Ben 3.5 V, DSO-16