Infineon MOSFET, Gate-drivare 1, 5.6 A, 8 Ben 15V, PG-DSO-8

Denna grinddrivare ger ett kompakt gränssnitt för att styra effekt-MOSFET:er i lågspänningssystem, vilket ger en enda högströmsdrivkanal med dubbla utgångar för omkopplingstillämpningar. Den fungerar över ett måttligt matningsområde och är avsedd för ytmonterad integration där snabba omkopplingsövergångar och ett litet kapslingsfotavtryck krävs.

• Driver MOSFET-gates med 5.6 A utgångsström för snabb omkopplingsprestanda
• Fungerar från 3 V till 15 V matning för flexibel lågspänningsanvändning
• Uppnår en stigtid på 8.3 ns för minskade påslagningsförluster
• Ger 9 ns falltid för att begränsa omkopplingsbelastning på enheter
• En drivrutin med två utgångar för förenklad grindstyrning
• Ytmonterat 8-stifts DSO-8-paket för kompakta kretskortslayouter

• Lämplig för MOSFET-grindstyrning i switchade nätaggregat
• Idealisk för gate-buffringsuppgifter för motorstyrda växelriktare
• Används med DC/DC-omvandlare som kräver snabba övergångar
• Kan användas för synkrona likriktargate-kretsar
• Användbar vid prototypframtagning av kraftelektronik på kompakta kort

Den är specifik för drift mellan -40 °C och 125 °C.

Enheten levereras i en 8-stifts förpackning för fotavtrycksplanering.

Den är avsedd för ytmonterad placering på kortet.

Förpackningen mäter 4 mm i bredd, 5 mm i längd och 1.75 mm i höjd.