Infineon MOSFET, MOSFET, 260 mA, 14 Ben 16.6 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6216
- Tillv. art.nr:
- IRS2453DSTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
83,33 kr
(exkl. moms)
104,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 320 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 16,666 kr | 83,33 kr |
| 25 - 45 | 13,328 kr | 66,64 kr |
| 50 - 120 | 12,522 kr | 62,61 kr |
| 125 - 245 | 11,514 kr | 57,57 kr |
| 250 + | 10,662 kr | 53,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6216
- Tillv. art.nr:
- IRS2453DSTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 260mA | |
| Antal ben | 14 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 100ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 120ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 16.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -25°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | IRS | |
| Längd | 8.74mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 260mA | ||
Antal ben 14 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 100ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 120ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 16.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -25°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie IRS | ||
Längd 8.74mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRS2453 is self-oscillating half-bridge gate driver IC, and incorporates a high voltage full-bridge gate driver with a front end oscillator similar to the industry standard CMOS 555 timer. HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Noise immunity is achieved with low di/dt peak of the gate driver.
Logic level latched shutdown pin
Non-latched shutdown on CT pin
Internal bootstrap FETs
Excellent latch immunity on all inputs & output
ESD protection on all pins
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 260 mA, 14 Ben 16.6 V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 260 mA, 8 Ben 625 V, SOIC
- STMicroelectronics MOSFET, MOSFET, 650 mA, 8 Ben 16.6 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 14 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 14 Ben 20 V, SOIC-14
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 260 mA, 14 Ben 15.6 V, PDIP-14
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.9 A, 14 Ben 20 V, SOIC-14
- STMicroelectronics MOSFET, MOSFET 2, 0.65 A, 8 Ben 16.6 V, SOIC
