Infineon MOSFET, Gate-drivare, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC

RS-artikelnummer:: 226-6207
Tillv. art.nr:: IRS2184STRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon MOSFET, Gate-drivare, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

25 382,50 kr

(exkl. moms)

31 727,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 29 juni 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	10,153 kr	25 382,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 226-6207
Tillv. art.nr:: IRS2184STRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	Gate-drivare
	Utström	1.9A
	Antal ben	8
	Kapseltyp	SOIC
	Falltid	35ns
	Antal utgångar	2
	Typ av drivsteg	MOSFET
	Stigtid	40ns
	Minsta matningsspänning	10V
	Maximal matningsspänning	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	125°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	8.74mm
	Serie	IRS
	Höjd	1.75mm
	Bredd	3.99mm
	Typ av fäste	Yta
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp Gate-drivare
	Utström 1.9A
	Antal ben 8
	Kapseltyp SOIC
	Falltid 35ns
	Antal utgångar 2
	Typ av drivsteg MOSFET
	Stigtid 40ns
	Minsta matningsspänning 10V
	Maximal matningsspänning 20V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 125°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 8.74mm
	Serie IRS
	Höjd 1.75mm
	Bredd 3.99mm
	Typ av fäste Yta
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRS2184STRPBF

Infineon IRS-serien grinddrivare, 10 V minsta matningsspänning, 1,9 A utgångsström – IRS2184STRPBF

Denna grinddrivare ger dubbelkanalig styrning för MOSFET:er i lågspänningseffektsteg, vilket ger snabb omkopplingsförmåga inom ett matningsområde på 10–20 V. Den levereras i ett 8-stifts SOIC-paket för ytmontering och är avsedd för industriella miljöer där extrema temperaturer uppstår. Enheten stöder tillämpningar som kräver kontrollerade stig- och falltider och måttlig utgångsström.

Funktioner och fördelar:

• 1.9 A utgångsström möjliggör effektiv hantering av grindladdning
• Falltid på 35 ns minskar kopplingsförluster vid avstängning
• 40 ns stigtid förbättrar övergångskontrollen vid påslagning
• Fungerar från minst 10 V för lågspänningsdesigner
• Maximal strömförsörjning på 20 V möjliggör högre grinddrivarspänningar
• Klassad för maximalt 125 °C för drift vid höga temperaturer

Användningsområden

• Lämplig för att driva dubbla MOSFET-steg i effektomvandlare
• Används med topologier med halvbrygga som kräver matchade utgångar
• Idealisk för industriell omkoppling där ett brett temperaturområde är viktigt
• Kan användas för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter
• Används för system som behöver en 8-stifts SOIC-formfaktor

Vilket förpacknings- och monteringsformat använder den?

Den levereras i ett 8-stifts SOIC-paket avsett för ytmontering.

Vilket temperaturområde stöder industriell användning?

Den fungerar ned till -40 °C och upp till 125 °C, vilket möjliggör användning i tuffa miljöer.

Hur många utgångar och vilken funktion utför de?

Den har två utgångar som är utformade för att driva MOSFET-gates i tvåkanaliga konfigurationer.

Vilken höjd och längd ska enheten beakta för kretskortslayout?

Enheten mäter 1.75 mm i höjd och 8.74 mm i längd.

Är den lämplig för fordonsstandardtillämpningar?

Den är inte specificerad för användning enligt fordonsstandard och bör inte antas vara kompatibel.