Infineon MOSFET, MOSFET, 1.9 A, 14 Ben 20V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6206
- Tillv. art.nr:
- IRS21844STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
119,84 kr
(exkl. moms)
149,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 875 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 23,968 kr | 119,84 kr |
| 25 - 45 | 20,428 kr | 102,14 kr |
| 50 - 120 | 19,196 kr | 95,98 kr |
| 125 - 245 | 17,74 kr | 88,70 kr |
| 250 + | 16,532 kr | 82,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6206
- Tillv. art.nr:
- IRS21844STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 1.9A | |
| Antal ben | 14 | |
| Falltid | 35ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 40ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 8.74mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | IRS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 1.9A | ||
Antal ben 14 | ||
Falltid 35ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 40ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 8.74mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie IRS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IRS21844 är högspännings-, höghastighets-effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med beroende hög- och låg-side-refererad utgångskanal. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logisk ingång är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, ned till 3,3 V-logik
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Fullt fungerande i +600 V
Tolerant mot negativ transientspänning, dV/dt-immun
Gate-drivningens strömförsörjningsområde från 10 V till 20 V
Spärr vid underspänning för båda kanalerna
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.9 A, 14 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.9 A, 14 Ben 20 V, SOIC-14
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET 2, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 14 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets 2, 0.35 A, 14 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC