Infineon MOSFET, Gate-drivare, 1.9 A, 14 Ben 20V, SOIC

Se alla Gate-drivare
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

119,84 kr

(exkl. moms)

149,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 870 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2023,968 kr119,84 kr
25 - 4520,428 kr102,14 kr
50 - 12019,196 kr95,98 kr
125 - 24517,74 kr88,70 kr
250 +16,532 kr82,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6206
Tillv. art.nr:
IRS21844STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Gate-drivare

Utström

1.9A

Antal ben

14

Kapseltyp

SOIC

Falltid

35ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Antal utgångar

2

Stigtid

40ns

Minsta matningsspänning

10V

Maximal matningsspänning

20V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Längd

8.74mm

Höjd

1.75mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.99mm

Serie

IRS

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineon IRS-serien grinddrivare, 10 V minsta matningsspänning, 1,9 A utgångsström – IRS21844STRPBF


Denna grinddrivare ger tvåkanalig MOSFET-enhet för strömomkopplingskretsar, utformad för ytmontering. Den accepterar matningsspänningar i ett 10 V-20 V-område och levererar kontrollerad drivning till två utgångar, vilket stöder effektiv omkoppling i industri- och kraftelektroniksammanhang samtidigt som den arbetar över ett brett omgivningstemperaturområde.

Funktioner och fördelar:


• 1.9 A utgångsström ger stark drivning per kanal för snabb omkoppling
• Stigtid 40 ns minimerar övergångstiden för omkoppling för förbättrad effektivitet
• Falltid 35 ns minskar avstängningsförluster vid höghastighetsdrift
• 14-poligt paket med stöd för kompakt ytmontering för täta monteringar
• Arbetsområde -40 °C till 125 °C möjliggör användning i olika termiska miljöer

Användningsområden


• Lämpligt för MOSFET-grinddrivare 10 V–20 V 2-utgångs SOIC-styrsteg
• Idealisk för grinddrivkretsar i IRS-serien med 1,9 A utgångseffektkretsar
• Används med höghastighets MOSFET-drivare 1,9 ampere per kanalswitchade konstruktioner
• Kan användas för kompakta ytmonterade grinddrivare med 14-stifts SOIC-layouter
• Används för industriella grinddrivare 10 V minsta matning strömförsörjningsmoduler

Vilken kapslingstyp bör övervägas för kretskortsdesign?


Enheten levereras i ett SOIC-paket och kräver ett 14-stifts fotavtryck som är kompatibelt med ytmonteringsmontering.

Vilket antal stift påverkar routning och grindanslutningar?


Det finns 14 stift som tilldelar separata anslutningar för dubbla utgångar och matningslinjer som påverkar kortledningen.

Hur påverkar temperaturförmågan långsiktig implementering?


Den maximala driftstemperaturen är 125 °C och lägsta är -40 °C, vilket stöder användning i förhöjda temperaturer och kalla miljöer utan specifikationsändring.

Vilken monteringsmetod krävs under monteringen?


Ytmonterad placering krävs på grund av enhetens monteringstyp och förpackningsformat.

Vilken klassificering av drivtyp gäller för val av omkopplingstopologi?


Enheten fungerar som en MOSFET-drivkrets avsedd för direkt grindstyrning i kraftelektroniska topologier.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.