Infineon MOSFET, MOSFET 2, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC

Se alla Gate-drivare

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

25 455,00 kr

(exkl. moms)

31 820,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +10,182 kr25 455,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
226-6203
Tillv. art.nr:
IRS2183STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

1.9A

Antal ben

8

Falltid

35ns

Kapseltyp

SOIC

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

40ns

Minsta matningsspänning

20V

Maximal matningsspänning

20V

Antal drivare

2

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Serie

IRS2183

Standarder/godkännanden

No

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineon IRS2183 är högspännings-, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med beroende hög- och låg-side-refererade utgångskanaler. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik.

Flytande kanal utformad för bootstrap-drift

Fullt fungerande i +600 V

Tolerant mot negativ transientspänning, dV/dt-immun

Gate-drivningens strömförsörjningsområde från 10 V till 20 V

Spärr vid underspänning för båda kanalerna

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.