Infineon MOSFET, Gate-drivare 2, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC

Denna grinddrivare är en dubbelkanalig MOSFET-drivare som är utformad för att styra switchtransistorer i strömomvandlingskretsar, som drivs från en lågspänningsförsörjning till en måttlig matningsskena. Den levereras i ett kompakt ytmonterat 8-stifts SOIC-paket och är avsedd för kretskortsmonterade tillämpningar som kräver exakt styrning av två utgångar med snabba omkopplingsegenskaper.

• Matningsområde på 10 V till 20 V möjliggör flexibelt val av systemspänning
• 1.9 A utgångsström ger robust MOSFET-gate-laddningskapacitet
• 40 ns stigtid minskar övergångsförlusterna vid påslagning
• 35 ns falltidsgränser för avstängningsenergiförlust
• Fungerar från -40 °C till 125 °C för utökad temperaturtolerans
• Två drivrutiner med två utgångar med stöd för drift av två enheter

• Lämplig för att driva komplementära MOSFET-par i DC/DC-omvandlare
• Idealisk för användning i halvbrygga PWM-omkopplarsteg
• Används med grinddrivkretsar i motorstyrningsväxelriktare
• Kan användas för synkron likriktargate-styrning i strömförsörjningar
• Används för kompakta ytmonterade strömmoduler på kort med begränsat utrymme

Enheten erbjuds i ett litet SOIC-hölje för ytmontering som mäter 4 mm bredd, 5 mm längd och 1,75 mm höjd vilket underlättar tät kretskortsplacering.

Den har två utgångar som drivs av två interna drivare, vilket möjliggör oberoende styrning av parade MOSFET:er.

Den stöder drift över ett brett omgivningsområde från -40 °C upp till maximalt 125 °C för användning vid höga temperaturer.

Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder och bör utvärderas därefter för implementering i fordonsklass.