Infineon MOSFET, MOSFET 6, 350 mA, 24 Ben 20V, DSO
- RS-artikelnummer:
- 226-6040
- Tillv. art.nr:
- 6ED2230S12TXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
46,37 kr
(exkl. moms)
57,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 917 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 46,37 kr |
| 5 - 9 | 41,66 kr |
| 10 - 24 | 38,86 kr |
| 25 - 49 | 36,51 kr |
| 50 + | 33,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6040
- Tillv. art.nr:
- 6ED2230S12TXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 350mA | |
| Antal ben | 24 | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Falltid | 20ns | |
| Antal utgångar | 4 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 35ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 6 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | 6ED2230S12T | |
| Längd | 18.2mm | |
| Bredd | 7.5mm | |
| Höjd | 2.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 350mA | ||
Antal ben 24 | ||
Kapseltyp DSO | ||
Falltid 20ns | ||
Antal utgångar 4 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 35ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 6 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie 6ED2230S12T | ||
Längd 18.2mm | ||
Bredd 7.5mm | ||
Höjd 2.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 6ED2230S12T är en högspänning, höghastighets IGBT med tre oberoende referensutgångskanaler för hög sida och låg sida för trefastillämpningar. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logisk ingång är kompatibel med standard CMOS- eller TTL-utgångar, ned till 3,3 V-logik. En överströmsskyddsfunktion som avslutar alla sex utgångar kan också härledas från detta motstånd.
Fullt fungerande i +1200 V
Inbyggd ultrasnabb bootstrap-diod
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Utgångskälla/sänkströmskapacitet +0,35 A/‐0,65 A
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET 6, 350 mA, 24 Ben 20V, DSO
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 360 mA, 8 Ben 20V, DSO
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 290 mA, 8 Ben 20V, DSO
- Infineon MOSFET, MOSFET, 350 mA, 28 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 350 mA, 44 Ben 20V, PLCC
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 5 A, 8 Ben 20V, DSO
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 2.5 A, 8 Ben 20V, DSO
- AEC Infineon MOSFET, MOSFET, 350 mA, 24 Ben 45V, SSOP