Infineon MOSFET, MOSFET, 350 mA, 28 Ben 20 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6155
- Tillv. art.nr:
- IR2136STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
155,90 kr
(exkl. moms)
194,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 890 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 31,18 kr | 155,90 kr |
| 25 - 45 | 27,126 kr | 135,63 kr |
| 50 - 120 | 25,268 kr | 126,34 kr |
| 125 - 245 | 23,70 kr | 118,50 kr |
| 250 + | 21,818 kr | 109,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6155
- Tillv. art.nr:
- IR2136STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 350mA | |
| Antal ben | 28 | |
| Falltid | 75ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Antal utgångar | 6 | |
| Stigtid | 125ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Serie | IR213 | |
| Längd | 16mm | |
| Bredd | 16 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 350mA | ||
Antal ben 28 | ||
Falltid 75ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Antal utgångar 6 | ||
Stigtid 125ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Serie IR213 | ||
Längd 16mm | ||
Bredd 16 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.57mm | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IR2136J are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with three independent high and low side referenced output channel for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3 V logic.
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600 V
Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
Over-current shutdown turns off all six driver
Independent 3 half-bridge driver
Matched propagation delay for all channel
Cross-conduction prevention logic