AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET 2, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 223-8467
- Tillv. art.nr:
- AUIRS2181STR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
182,78 kr
(exkl. moms)
228,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 980 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 36,556 kr | 182,78 kr |
| 25 - 45 | 31,068 kr | 155,34 kr |
| 50 - 120 | 29,254 kr | 146,27 kr |
| 125 - 245 | 27,036 kr | 135,18 kr |
| 250 + | 25,222 kr | 126,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-8467
- Tillv. art.nr:
- AUIRS2181STR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 1.9A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 35ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 15ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Serie | AUIRS2181 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 1.9A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 35ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 15ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.75mm | ||
Serie AUIRS2181 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Infineon AUIRS2181 är högspännings-, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivkretsar med oberoende referensutgångskanaler för hög och låg sida. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång.
Underspänningslåsning för båda kanalerna
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Utgång i fas med ingång
Blyfri
RoHS-kompatibel
Godkänd för fordonsindustrin
Relaterade länkar
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET 2, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.9 A, 14 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET 2, 2.5 A, 16 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC-8
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.9 A, 14 Ben 20 V, SOIC-14
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Gate-drivare 2, 200 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
