onsemi IGBT, Gate-drivare 1, 2 A, 8 Ben 20V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 838-668
- Tillv. art.nr:
- MC33153DR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
114,63 kr
(exkl. moms)
143,29 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,926 kr | 114,63 kr |
| 50 - 245 | 18,576 kr | 92,88 kr |
| 250 - 495 | 14,226 kr | 71,13 kr |
| 500 + | 12,602 kr | 63,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 838-668
- Tillv. art.nr:
- MC33153DR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 2A | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 55ns | |
| Typ av drivsteg | IGBT | |
| Antal utgångar | 1 | |
| Stigtid | 55ns | |
| Minsta matningsspänning | 10.4V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 105°C | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Serie | MC33153 | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 2A | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 55ns | ||
Typ av drivsteg IGBT | ||
Antal utgångar 1 | ||
Stigtid 55ns | ||
Minsta matningsspänning 10.4V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 1 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 105°C | ||
Bredd 6.2mm | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Serie MC33153 | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Onsemis grinddrivare fungerar effektivt som ett kraftfullt gränssnitt för IGBT-tillämpningar, vilket säkerställer optimal styrning i motor- och energihanteringssystem, skräddarsydd för krävande strömmiljöer.
Högströmsutgångssteg med 1, 0 A käll- och 2, 0 A-sänkfunktioner
Skyddskretsar skyddar mot överström och kortslutning
Programmerbar felutjämningstid förbättrar driftsflexibiliteten
Underspänningslåsning optimerar säkerheten under förhållanden med låg effekt
Negativ grindstyrningskapacitet möjliggör kompatibilitet med olika IGBT-typer
Relaterade länkar
- onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 8 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 8 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 7 A, 8 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 2, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 1, 6.5 A, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 2.3 A, 8 Ben 20V, SOIC-8
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 14 Ben 20V, SOIC
