STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivare 2, 1.8 A, 18 Ben 20V, QFN

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

40,54 kr

(exkl. moms)

50,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 231 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 940,54 kr
10 - 2430,24 kr
25 - 9927,55 kr
100 - 24924,75 kr
250 +23,52 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
734-275
Tillv. art.nr:
STDRIVEG612QTR
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

Gate-drivare

Utström

1.8A

Antal ben

18

Kapseltyp

QFN

Falltid

13ns

Typ av drivsteg

Gate-drivare

Stigtid

22ns

Minsta matningsspänning

3.3V

Maximal matningsspänning

20V

Antal drivare

2

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Längd

5mm

Serie

STDR

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

RoHs Compliant

Höjd

1mm

Typ av fäste

Yta

COO (ursprungsland):
SG
STMicroelectronics höghastighets halvbro-gate-drivrutin är utformad för att ge exakt och effektiv styrning av avancerade GaN-HEMT-enheter med en 5 V-gate-drivrutin. Drivrutinsdelen på högsidan stöder spänningsskenor upp till 600 V, vilket gör den lämplig för krävande strömomvandlingstillämpningar. Med ultrasnabb start, låg propagationsfördröjning och avancerade skyddsfunktioner säkerställer den tillförlitlig drift i högfrekventa omkopplingsmiljöer.

Separata spill- och källvägar med 1,8 A spill- och 0,8 A källkapacitet

Linjära regulatorer med hög sida och låg sida ger 5 V gate driftspänning

Utbredningsfördröjning på 50 ns med minsta utspänning på 15 ns

Komparator för detektering av överström med funktioner för smart avstängning och felrapportering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.