STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivare 2, 1.8 A, 18 Ben 20V, QFN
- RS-artikelnummer:
- 734-275
- Tillv. art.nr:
- STDRIVEG612QTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
25,65 kr
(exkl. moms)
32,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 231 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 25,65 kr |
| 10 - 49 | 25,09 kr |
| 50 - 99 | 24,30 kr |
| 100 + | 23,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 734-275
- Tillv. art.nr:
- STDRIVEG612QTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 1.8A | |
| Antal ben | 18 | |
| Falltid | 13ns | |
| Kapseltyp | QFN | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Stigtid | 22ns | |
| Minsta matningsspänning | 3.3V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHs Compliant | |
| Serie | STDR | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 1.8A | ||
Antal ben 18 | ||
Falltid 13ns | ||
Kapseltyp QFN | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Stigtid 22ns | ||
Minsta matningsspänning 3.3V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHs Compliant | ||
Serie STDR | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
- COO (ursprungsland):
- SG
STMicroelectronics höghastighets halvbro-gate-drivrutin är utformad för att ge exakt och effektiv styrning av avancerade GaN-HEMT-enheter med en 5 V-gate-drivrutin. Drivrutinsdelen på högsidan stöder spänningsskenor upp till 600 V, vilket gör den lämplig för krävande strömomvandlingstillämpningar. Med ultrasnabb start, låg propagationsfördröjning och avancerade skyddsfunktioner säkerställer den tillförlitlig drift i högfrekventa omkopplingsmiljöer.
Separata spill- och källvägar med 1,8 A spill- och 0,8 A källkapacitet
Linjära regulatorer med hög sida och låg sida ger 5 V gate driftspänning
Utbredningsfördröjning på 50 ns med minsta utspänning på 15 ns
Komparator för detektering av överström med funktioner för smart avstängning och felrapportering
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivare 2, 1.8 A, 18 Ben 20V, QFN
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivare, 31 Ben 15 V, QFN
- STMicroelectronics, Gate-drivare 2, 1350 μA, 18 Ben 6.6 V, QFN-18L
- STMicroelectronics, Gate-drivare 2, 1250 μA, 18 Ben 6.6 V, QFN-18L
- STMicroelectronics Hög spänning, Gate-drivare 2, 16 A, 35 Ben 21V, QFN
- STMicroelectronics Gate-drivare, Grinddrivare, IC 6, 3.5 A, 35 Ben 20V, VFQFPN
- STMicroelectronics Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 10 mA, 18 Ben 20 V, QFN
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 1 A, 72 Ben 20 V, QFN (10 x 10 mm) 72L