STMicroelectronics Hög spänning, Gate-drivare 2, 16 A, 35 Ben 21V, QFN

STMicroelectronics avancerade strömförsörjningssystem-i-paketet integrerar två förstärkningsläge GaN-transistorer i en halvbrokonfiguration som drivs av en högspännings, högfrekventa grinddrivrutin. De integrerade effekt-GaN har en typisk RDS(ON) på 140 mΩ och 650 V avloppsspänning. Den har linjära regulatorer på både de nedre och övre drivsektionerna för att optimera drivningseffektiviteten. Den höga sidan av den inbyggda grinddrivrutinen kan levereras av den integrerade bootstrap-dioden. Spärrfunktionen undviker korsledningsförhållanden. Den avancerade drivrutinsdelen möjliggör högfrekventa omkopplingsfunktioner tack vare den lilla fördröjningen, den mycket korta väckningstiden och de korta minimala på-tiderna. Det utökade utbudet av ingångsstifter samt fjärrsignalstiftet (FLT) möjliggör enkel anslutning till kontroller, mikrokontroller eller DSP-enheter. Standbyben gör det möjligt att minska enhetens strömförbrukning under inaktiva perioder.

Power System-in-Package integrerar 650 V GaN-transistorer halv bro med högspänningsgate driver