ROHM, Effekttransistor, 20 A, 8 Ben 750 V, DFN-8080K

Se alla Gate-drivare
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

100,58 kr

(exkl. moms)

125,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9100,58 kr
10 - 9990,50 kr
100 +83,44 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-697
Tillv. art.nr:
GNP1070TC-ZE2
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

Effekttransistor

Utström

20A

Antal ben

8

Falltid

8.7ns

Kapseltyp

DFN-8080K

Stigtid

6.9ns

Minsta matningsspänning

24V

Maximal matningsspänning

750V

Minsta arbetsstemperatur

-10°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

GNP1070TC NA

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TW
ROHM E-mode galliumnitrid (GaN) FET är en 650 V GaN HEMT som har uppnått branschens högsta klass FOM (Ron Ciss Ron Coss). Det är en produkt i EcoGaN-serien som bidrar till effektiv strömomvandling och storleksreducering genom att på bästa sätt utnyttja lågt PÅ-motstånd och höghastighetsomkoppling. ESD-skyddsfunktion är inbyggd för hög tillförlitlighet. Dessutom ger de mycket mångsidiga kapslingarna utmärkt värmeavledning och underlättar montering.

650 V E-läge GaN FET

70 mΩ resistans

5,2 nC grindladdning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.