Infineon AEC-Q100 klass 1, Serie-SPI FRAM 16 kB, 2k x 8 bit, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- RS-artikelnummer:
- 273-7314
- Tillv. art.nr:
- CY15B016Q-SXE
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 97 enheter)*
1 812,154 kr
(exkl. moms)
2 265,144 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 485 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 18,682 kr | 1 812,15 kr |
| 194 + | 16,122 kr | 1 563,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7314
- Tillv. art.nr:
- CY15B016Q-SXE
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 16kB | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Organisation | 2k x 8 bit | |
| Gränssnittstyp | Serie-SPI | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal klockfrekvens | 16MHz | |
| Kapseltyp | SOIC-8 | |
| Antal ben | 8 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 klass 1 | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Antal ord | 2k | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 16kB | ||
Produkttyp FRAM | ||
Organisation 2k x 8 bit | ||
Gränssnittstyp Serie-SPI | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal klockfrekvens 16MHz | ||
Kapseltyp SOIC-8 | ||
Antal ben 8 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 klass 1 | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Antal ord 2k | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
The Infineon FRAM is a 16 Kbit non volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 121 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by serial flash, EEPROM, and other non volatile memories.
RoHS compliant
Low voltage operation
Low power consumption
AEC Q100 Grade 1 compliant
Sophisticated write protection scheme
Software protection using write disable instruction
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q100 klass 1 2k x 8 bit -40 °C SOIC-8
- Infineon AEC-Q100 klass 1 2k x 8 bit 40 °C SOIC-8
- Infineon AEC-Q100 klass 1 16k x 8 bit -40 °C SOIC-8
- Infineon AEC-Q100 2K x 8 bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 2K x 8 bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 512 x 8 -40 °C SOIC
- Infineon AEC-Q100 8K x 8 bit 125 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 klass 1 8K x 8 bit -40 °C SOIC-8
