Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 16 kB, 2K x 8 bit, 20 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

71,23 kr

(exkl. moms)

89,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 65 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 5 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 565 enhet(er) från den 08 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 1014,246 kr71,23 kr
15 - 2510,976 kr54,88 kr
30 - 9510,662 kr53,31 kr
100 - 49510,394 kr51,97 kr
500 +10,17 kr50,85 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
125-4226
Tillv. art.nr:
FM25L16B-G
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

FRAM

Minnesstorlek

16kB

Gränssnittstyp

SPI

Databussbredd

8bit

Maximal slumpmässig åtkomsttid

20ns

Typ av fäste

Yta

Maximal klockfrekvens

20MHz

Kapseltyp

SOIC

Antal ben

8

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.48mm

Längd

4.97mm

Maximal arbetstemperatur

85°C

Antal ord

2k

Fordonsstandard

AEC-Q100

Maximal matningsspänning

3.6V

Minsta matningsspänning

2.7V

Antal bitar per ord

8

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

FRAM, Cypress-halvledare


Ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst (F-RAM) är energieffektivt och har den högsta tillförlitligheten bland icke-flyktiga RAM-minnen för både seriella och parallella gränssnitt. Delar med suffix A är utformade för fordonstillämpningar och är AEC-Q100-kvalificerade.

Icke-flyktigt ferroelektriskt RAM-minne

Snabb skrivhastighet

Hög uthållighet

Låg strömförbrukning

FRAM (ferroelektriskt RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) är ett icke-flyktigt minne som använder ferroelektrisk film som kondensator för lagring av data. F-RAM har egenskaper för både ROM- och RAM-enheter och har höghastighetsåtkomst, hög uthållighet i skrivläge, låg strömförbrukning, icke-flyktighet och utmärkt sabotagebeständighet. Det är därför ett perfekt minne för användning i smartkort som behöver hög säkerhet och låg strömförbrukning, samt mobiltelefoner och andra enheter.

Relaterade länkar