Infineon AEC-Q100 klass 1, Serie-SPI FRAM 128 kB, 16k x 8 bit, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- RS-artikelnummer:
- 273-7320
- Tillv. art.nr:
- CY15B128Q-SXE
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 97 enheter)*
6 126,811 kr
(exkl. moms)
7 658,538 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 63,163 kr | 6 126,81 kr |
| 194 + | 61,586 kr | 5 973,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7320
- Tillv. art.nr:
- CY15B128Q-SXE
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Minnesstorlek | 128kB | |
| Organisation | 16k x 8 bit | |
| Gränssnittstyp | Serie-SPI | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal klockfrekvens | 33MHz | |
| Kapseltyp | SOIC-8 | |
| Antal ben | 8 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 klass 1 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal ord | 16k | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta matningsspänning | 2.7V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp FRAM | ||
Minnesstorlek 128kB | ||
Organisation 16k x 8 bit | ||
Gränssnittstyp Serie-SPI | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal klockfrekvens 33MHz | ||
Kapseltyp SOIC-8 | ||
Antal ben 8 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 klass 1 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal ord 16k | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta matningsspänning 2.7V | ||
The Infineon FRAM is a 128 Kbit non volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 121 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by serial flash, EEPROM, and other non volatile memories.
RoHS compliant
Low voltage operation
Low power consumption
AEC Q100 Grade 1 compliant
Sophisticated write protection scheme
Software protection using write disable instruction
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q100 klass 1, Serie-SPI FRAM 128 kB, 16k x 8 bit, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 128 kB, 16k x 8 Bit, 16 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon, Serie-SPI Seriell (SPI) F-RAM 128 kB, 16K x 8 bit, 85 °C, 40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- Infineon AEC-Q100 klass 1, Serie-SPI FRAM 16 kB, 2k x 8 bit, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- Infineon AEC-Q100, Serie-SPI FRAM 4 kB, 512 x 8, 120 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 klass 1, Serie-SPI Seriell (SPI) FRAM för fordon 16 kB, 2k x 8 bit, 125 °C, 40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 25 ns, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 klass 3, Serie-SPI FRAM 4 MB, 512k x 8 bit, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC-8