Infineon, Serie-SPI FRAM 1 MB, 128k x 8 bit, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, DSO
- RS-artikelnummer:
- 273-5330
- Tillv. art.nr:
- FM25V10-GTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
12 605,00 kr
(exkl. moms)
15 755,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 5,042 kr | 12 605,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5330
- Tillv. art.nr:
- FM25V10-GTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 1MB | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Organisation | 128k x 8 bit | |
| Gränssnittstyp | Serie-SPI | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal klockfrekvens | 40MHz | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Antal ben | 8 | |
| Standarder/godkännanden | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Minsta matningsspänning | 2V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 1MB | ||
Produkttyp FRAM | ||
Organisation 128k x 8 bit | ||
Gränssnittstyp Serie-SPI | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal klockfrekvens 40MHz | ||
Kapseltyp DSO | ||
Antal ben 8 | ||
Standarder/godkännanden Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Minsta matningsspänning 2V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon FRAM Memory is a 1 Mbit non volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by serial flash, EEPROM, and other non volatile memories.
RoHS compliant
Low voltage operation
Low power consumption
Very fast serial peripheral interface
Sophisticated write protection scheme