Infineon, Serie-SPI FRAM 1 MB, 128k x 8 bit, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, DSO
- RS-artikelnummer:
- 273-5331
- Tillv. art.nr:
- FM25V10-GTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
139,70 kr
(exkl. moms)
174,62 kr
(inkl. moms)
Lägg till 4 enheter för att få fri frakt
I lager
- 85 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 139,70 kr |
| 50 - 99 | 125,78 kr |
| 100 + | 110,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5331
- Tillv. art.nr:
- FM25V10-GTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 1MB | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Organisation | 128k x 8 bit | |
| Gränssnittstyp | Serie-SPI | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal klockfrekvens | 40MHz | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Antal ben | 8 | |
| Standarder/godkännanden | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Minsta matningsspänning | 2V | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 1MB | ||
Produkttyp FRAM | ||
Organisation 128k x 8 bit | ||
Gränssnittstyp Serie-SPI | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal klockfrekvens 40MHz | ||
Kapseltyp DSO | ||
Antal ben 8 | ||
Standarder/godkännanden Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Minsta matningsspänning 2V | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
The Infineon FRAM Memory is a 1 Mbit non volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by serial flash, EEPROM, and other non volatile memories.
RoHS compliant
Low voltage operation
Low power consumption
Very fast serial peripheral interface
Sophisticated write protection scheme