Infineon AEC-Q100 klass 3, Serie-SPI FRAM 4 MB, 512k x 8 bit, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- RS-artikelnummer:
- 273-5264
- Tillv. art.nr:
- CY15B104QN-50SXA
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
154,78 kr
(exkl. moms)
193,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 38 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 154,78 kr |
| 10 - 24 | 144,03 kr |
| 25 - 49 | 142,46 kr |
| 50 + | 139,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5264
- Tillv. art.nr:
- CY15B104QN-50SXA
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Minnesstorlek | 4MB | |
| Organisation | 512k x 8 bit | |
| Gränssnittstyp | Serie-SPI | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal klockfrekvens | 50MHz | |
| Kapseltyp | SOIC-8 | |
| Antal ben | 8 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Antal ord | 524288 | |
| Minsta matningsspänning | 1.71V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 klass 3 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp FRAM | ||
Minnesstorlek 4MB | ||
Organisation 512k x 8 bit | ||
Gränssnittstyp Serie-SPI | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal klockfrekvens 50MHz | ||
Kapseltyp SOIC-8 | ||
Antal ben 8 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Antal ord 524288 | ||
Minsta matningsspänning 1.71V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 klass 3 | ||
The Infineon FRAM Memory is a high performance, 4 Mbit non volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by serial flash and other non volatile memories.
RoHS compliant
Low voltage operation
Software block protection
Serial bus interface SPI protocols
Low power consumption at high speed
Single and multi IO serial peripheral interface
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q100 klass 3, Serie-SPI FRAM 4 MB, 512k x 8 bit, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- Infineon, SPI FRAM 4 MB, 512k x 8, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon, Quad-SPI FRAM 4 MB, 512k x 8, 85 °C, 40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon, Serie-SPI FRAM 4 MB, 512k x 8 bit, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 klass 1, Serie-SPI FRAM 2 MB, 256K x 8 bit, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- Cypress Semiconductor 4Mbit Serial-SPI FRAM Memory 8-Pin SOIC, CY15B104QN-50SXI
- Infineon, Serie-SPI FRAM 8 MB, 1024K x 8, 0 ns, 120 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon, Serie-SPI FRAM 1 MB, 128k x 8 bit, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, DSO