Infineon, SPI FRAM 4 MB, 512 k x 8 Bit, 16 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 188-5304
- Tillv. art.nr:
- CY15B104Q-SXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 94 enheter)*
20 870,726 kr
(exkl. moms)
26 088,384 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 658 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 94 + | 222,029 kr | 20 870,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-5304
- Tillv. art.nr:
- CY15B104Q-SXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 4MB | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Organisation | 512 k x 8 Bit | |
| Gränssnittstyp | SPI | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 16ns | |
| Fästetyp | Yta | |
| Maximal klockfrekvens | 40MHz | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal ben | 8 | |
| Bredd | 5.3 mm | |
| Höjd | 1.78mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.3mm | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Antal ord | 512K | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Minsta matningsspänning | 2V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 4MB | ||
Produkttyp FRAM | ||
Organisation 512 k x 8 Bit | ||
Gränssnittstyp SPI | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 16ns | ||
Fästetyp Yta | ||
Maximal klockfrekvens 40MHz | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal ben 8 | ||
Bredd 5.3 mm | ||
Höjd 1.78mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.3mm | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Antal ord 512K | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Minsta matningsspänning 2V | ||
- COO (ursprungsland):
- US
FRAM, Cypress-halvledare
Ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst (F-RAM) är energieffektivt och har den högsta tillförlitligheten bland icke-flyktiga RAM-minnen för både seriella och parallella gränssnitt. Delar med suffix A är utformade för fordonstillämpningar och är AEC-Q100-kvalificerade.
Icke-flyktigt ferroelektriskt RAM-minne
Snabb skrivhastighet
Hög uthållighet
Låg strömförbrukning
FRAM (ferroelektriskt RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) är ett icke-flyktigt minne som använder ferroelektrisk film som kondensator för lagring av data. F-RAM har egenskaper för både ROM- och RAM-enheter och har höghastighetsåtkomst, hög uthållighet i skrivläge, låg strömförbrukning, icke-flyktighet och utmärkt sabotagebeständighet. Det är därför ett perfekt minne för användning i smartkort som behöver hög säkerhet och låg strömförbrukning, samt mobiltelefoner och andra enheter.
Relaterade länkar
- Infineon 512 k x 8 Bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon 512kB x 8 Bit 85 °C 8 Ben, DFN
- Infineon 1024K x 8 120 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 64k x 8 Bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 512 x 8 bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 128K x 8 bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 256k x 8 Bit 85 °C 8 Ben, DFN
- Infineon AEC-Q100 256k x 8 Bit 85 °C 8 Ben, SOIC