Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 2 MB, 256K x 8 bit, 9 ns, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 94 enheter)*

12 418,81 kr

(exkl. moms)

15 523,536 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
94 - 94132,115 kr12 418,81 kr
188 - 188128,681 kr12 096,01 kr
282 - 470125,377 kr11 785,44 kr
564 +122,206 kr11 487,36 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-3437
Tillv. art.nr:
CY15V102QN-50SXE
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Minnesstorlek

2MB

Produkttyp

FRAM

Organisation

256K x 8 bit

Gränssnittstyp

SPI

Databussbredd

8bit

Maximal slumpmässig åtkomsttid

9ns

Maximal klockfrekvens

50MHz

Typ av fäste

Yta

Kapseltyp

SOIC

Antal ben

8

Längd

5.3mm

Höjd

1.78mm

Bredd

5.3mm

Standarder/godkännanden

No

Maximal arbetstemperatur

125°C

Fordonsstandard

AEC-Q100

Antal ord

256K

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Antal bitar per ord

8

Minsta matningsspänning

1.71V

Maximal matningsspänning

1.89V

2 Mbit ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst (F-RAM) logiskt organiserat som 256K x 8

Praktiskt taget obegränsad uthållighet på 10 biljoner (1013) läs-/skrivcykler

121 års datalagring

NoDelayTM skriver

Avancerad ferroelektrisk process med hög tillförlitlighet

Snabbt seriellt perifert gränssnitt (SPI)

Frekvens upp till 50 MHz

Stöd för SPI-läge 0 (0, 0) och läge 3 (1, 1)

Förfinat skrivskyddssystem

Maskinvaruskydd med Write Protect-stift (WP)

Programvaruskydd med Write Inactivate (WRDI)-instruktion

Programvarublokskydd för 1/4, 1/2 eller hela matrisen

Enhets-ID och serienummer

Enhets-ID innehåller tillverkarens ID och produkt-ID

Unikt ID

Serienummer

Dedikerad 256-byte specialsektor F-RAM

Dedikerad specialsektor för skrivning och läsning

Lagrat innehåll kan överleva upp till 3 standardcykler av omsmältningslödning

Låg strömförbrukning

3,7 mA (typ) aktiv ström vid 40 MHz

2,7 μA (typ) standby-ström

1,1 μA (typ) djup avstängningsström

0,1 μA (typ) Hibernate-lägesström

Lågspänningsdrift:

CY15V102QN: VDD = 1,71 V till 1,89 V

CY15B102QN: VDD = 1,8 V till 3,6 V

Fordonsdrifttemperatur: -40 °C till +125 °C

AEC-Q100 Grade 1-kompatibel

8-stifts Small Outline Integrated Circuit (SOIC)-paket

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.