Infineon, CFI, NOR 256 MB Flash-minne, 110 ns, 64 Ben, BGA
- RS-artikelnummer:
- 193-8866
- Tillv. art.nr:
- S29GL256P11FFIV20
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 193-8866
- Tillv. art.nr:
- S29GL256P11FFIV20
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Flash-minne | |
| Minnesstorlek | 256MB | |
| Gränssnittstyp | CFI, | |
| Kapseltyp | BGA | |
| Antal ben | 64 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Celltyp | NOR | |
| Minsta matningsspänning | 2.7V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Tidsinställningstyp | Asynkron | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Längd | 13mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | S29GL256P | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Antal ord | 32M | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Matningsström | 110mA | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 110ns | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Flash-minne | ||
Minnesstorlek 256MB | ||
Gränssnittstyp CFI, | ||
Kapseltyp BGA | ||
Antal ben 64 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Celltyp NOR | ||
Minsta matningsspänning 2.7V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Tidsinställningstyp Asynkron | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Längd 13mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie S29GL256P | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Antal ord 32M | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Matningsström 110mA | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 110ns | ||
The Cypress S29GL01G/512/256/128P are Mirrorbit® Flash products fabricated on 90 nm process technology. These devices offer a fast page access time of 25 ns with a corresponding random access time as fast as 90 ns. They feature a Write Buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes these devices ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.