Winbond, Parallell SLC NAND 4 GB Flash-minne, 25 μs, 63 Ben, VFBGA
- RS-artikelnummer:
- 188-2878
- Tillv. art.nr:
- W29N04GVBIAF
- Tillverkare / varumärke:
- Winbond
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
126,67 kr
(exkl. moms)
158,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 6 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 126,67 kr |
| 10 - 24 | 123,42 kr |
| 25 - 49 | 120,06 kr |
| 50 - 99 | 117,04 kr |
| 100 + | 114,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-2878
- Tillv. art.nr:
- W29N04GVBIAF
- Tillverkare / varumärke:
- Winbond
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Winbond | |
| Minnesstorlek | 4GB | |
| Produkttyp | Flash-minne | |
| Gränssnittstyp | Parallell | |
| Kapseltyp | VFBGA | |
| Antal ben | 63 | |
| Organisation | 512M x 8 Bit | |
| Fästetyp | Yta | |
| Celltyp | SLC NAND | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta matningsspänning | 2.7V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Längd | 11.1mm | |
| Höjd | 0.6mm | |
| Bredd | 11.1 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 25μs | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Antal ord | 512M | |
| Serie | W29N04GV | |
| Matningsström | 35mA | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Winbond | ||
Minnesstorlek 4GB | ||
Produkttyp Flash-minne | ||
Gränssnittstyp Parallell | ||
Kapseltyp VFBGA | ||
Antal ben 63 | ||
Organisation 512M x 8 Bit | ||
Fästetyp Yta | ||
Celltyp SLC NAND | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta matningsspänning 2.7V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Längd 11.1mm | ||
Höjd 0.6mm | ||
Bredd 11.1 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 25μs | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Antal ord 512M | ||
Serie W29N04GV | ||
Matningsström 35mA | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Density : 4Gbit (Single chip solution)
Vcc : 2.7V to 3.6V
Bus width : x8
Operating temperature
Industrial: -40°C to 85°C
Single-Level Cell (SLC) technology.
Organization
Density: 4G-bit/512M-byte
Page size
2,112 bytes (2048 + 64 bytes)
Block size
64 pages (128K + 4K bytes)
Highest Performance
Read performance (Max.)
Random read: 25us
Sequential read cycle: 25ns
Write Erase performance
Page program time: 250us(typ.)
Block erase time: 2ms(typ.)
Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)
10-years data retention
Command set
Standard NAND command set
Additional command support
Sequential Cache Read
Random Cache Read
Cache Program
Copy Back
Two-plane operation
Contact Winbond for OTP feature
Contact Winbond for Block Lock feature
Lowest power consumption
Read: 25mA(typ.)
Program/Erase: 25mA(typ.)
CMOS standby: 10uA(typ.)
Space Efficient Packaging
48-pin standard TSOP1
63-ball VFBGA
4Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.
Bus Width: x8
Random Read: 25us
Page Program Time: 250us(typ.)
Block Erase Time: 2ms(typ.)
Support OTP Memory Area