Winbond, Parallell SLC NAND 2 GB Flash-minne, 25 μs, 63 Ben, VFBGA

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

155,90 kr

(exkl. moms)

194,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 630 enhet(er) levereras från den 02 april 2026
  • Dessutom levereras 88 enhet(er) från den 16 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 877,95 kr155,90 kr
10 - 1875,88 kr151,76 kr
20 - 4873,865 kr147,73 kr
50 - 9871,96 kr143,92 kr
100 +70,225 kr140,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-2808
Tillv. art.nr:
W29N02GVBIAA
Tillverkare / varumärke:
Winbond
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Winbond

Minnesstorlek

2GB

Produkttyp

Flash-minne

Gränssnittstyp

Parallell

Kapseltyp

VFBGA

Antal ben

63

Organisation

256M x 8 Bit

Fästetyp

Yta

Celltyp

SLC NAND

Minsta matningsspänning

2.7V

Maximal matningsspänning

3.6V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Höjd

0.6mm

Längd

11.1mm

Bredd

9.1 mm

Standarder/godkännanden

No

Antal ord

256M

Fordonsstandard

Nej

Serie

W29N02GV

Maximal slumpmässig åtkomsttid

25μs

Matningsström

35mA

Antal bitar per ord

8

Density : 2Gbit (Single chip solution)

Vcc : 2.7V to 3.6V

Bus width : x8

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 2G-bit/256M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(2)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command set

Additional command support

Sequential Cache Read

Random Cache Read

Cache Program

Copy Back

Two-plane operation

Contact Winbond for OTP feature

Contact Winbond for block Lock feature

Lowest power consumption

Read: 25mA(typ.3V)

Program/Erase: 25mA(typ.3V)

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

63-ball VFBGA

2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

Support OTP Memory Area

Relaterade länkar