Infineon SRAM, 4 MB, TSOP II 44 Ben

Detta SRAM är en ytmonterad minnesenhet som är utformad för asynkron lagring med låg strömförbrukning i inbäddade och industriella sammanhang. Den fungerar över ett reducerat spänningsområde som är lämpligt för energimässiga konstruktioner och fungerar inom utökade temperaturgränser för krävande miljöer. Kapslingstypen stöder kompakta kortlayouter och överensstämmer med vanliga miljöstandarder för elektroniska komponenter.

• Matningsområde på 2,2 V till 3,6 V minskar strömförbrukningen och möjliggör flexibla strömdomäner
• Asynkroniserad timing förenklar gränssnittet med olika logikfamiljer
• Typisk matningsström på 20 mA stöder energikänsliga tillämpningar
• 256K ordorganisation ger deterministiska adresserbara minnesblock
• RoHS-överensstämmelse underlättar montering i reglerade tillverkningslinjer

• Lämplig för inbäddade system som kräver icke-flyktig SRAM-liknande åtkomst
• Idealisk för industriella styrenheter som arbetar i extrema temperaturer
• Används med styrprocessorer som behöver 16-bitars dataöverföring
• Kan användas för minnesbuffring i kommunikationsenheter med låg effekt
• Lämplig för kretskortskonstruktioner som kräver 44-stiftshöljen för ytmontering

Den använder ett TSOP II-paket för ytmontering med ett 44-stiftsantal som är lämpligt för kompakta kortlayouter.

Den är klassad för drift mellan -40 °C och 85 °C för användning i industriella temperaturförhållanden.

Minnet är ordnat som 256kx16, vilket ger 256K adresserbara ord med 16-bitars ordbredd.

Typisk matningsström specificeras vid 20 mA för planering av strömbudgetar.