Infineon SRAM, 8 MB, TSOP 54 Ben
- RS-artikelnummer:
- 273-5254
- Tillv. art.nr:
- CY14B108N-ZSP45XI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
483,95 kr
(exkl. moms)
604,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 enhet(er) från den 13 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 483,95 kr |
| 10 - 24 | 470,96 kr |
| 25 - 49 | 458,53 kr |
| 50 - 74 | 446,77 kr |
| 75 + | 435,57 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5254
- Tillv. art.nr:
- CY14B108N-ZSP45XI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 8MB | |
| Produkttyp | SRAM | |
| Antal ord | 512K | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 45ns | |
| Minsta matningsspänning | 0.5V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal matningsspänning | 4.1V | |
| Kapseltyp | TSOP | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal ben | 54 | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Längd | 22.52mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 10.26mm | |
| Serie | CY14B108N | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 8MB | ||
Produkttyp SRAM | ||
Antal ord 512K | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 45ns | ||
Minsta matningsspänning 0.5V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal matningsspänning 4.1V | ||
Kapseltyp TSOP | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal ben 54 | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Längd 22.52mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 10.26mm | ||
Serie CY14B108N | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon SRAM is a fast static RAM with a non volatile element in each memory cell. The memory is organized as 1024 Kbytes of 8 bits each or 512 K words of 16 bits each. The embedded non volatile elements incorporate Quantum Trap technology, producing the worlds most reliable non volatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while independent non volatile data resides in the highly reliable Quantum Trap cell. Data transfers from the SRAM to the non volatile elements takes place automatically at power down. On power up, data is restored to the SRAM from the non volatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.
Pb free
RoHS compliant
20 year data retention
Infinite read write and recall cycles
1 million STORE cycles to QuantumTrap
RECALL to SRAM initiated by software or power up
