Renesas Electronics SRAM-minne, 4 MB 44 Ben
- RS-artikelnummer:
- 254-4967
- Tillv. art.nr:
- 71V416S12PHGI
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
95,42 kr
(exkl. moms)
119,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 94 enhet(er) från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 95,42 kr |
| 10 - 24 | 87,92 kr |
| 25 - 49 | 86,13 kr |
| 50 - 74 | 84,45 kr |
| 75 + | 82,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-4967
- Tillv. art.nr:
- 71V416S12PHGI
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Renesas Electronics | |
| Minnesstorlek | 4MB | |
| Produkttyp | SRAM-minne | |
| Antal ord | 262144 Words | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 12ns | |
| Adressbussbredd | 18bit | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Tidsinställningstyp | Asynkron | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Antal ben | 44 | |
| Standarder/godkännanden | JEDECLVTTL-Compatible | |
| Höjd | 9mm | |
| Längd | 9mm | |
| Serie | 71V416 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Matningsström | 200mA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Renesas Electronics | ||
Minnesstorlek 4MB | ||
Produkttyp SRAM-minne | ||
Antal ord 262144 Words | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 12ns | ||
Adressbussbredd 18bit | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Tidsinställningstyp Asynkron | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Antal ben 44 | ||
Standarder/godkännanden JEDECLVTTL-Compatible | ||
Höjd 9mm | ||
Längd 9mm | ||
Serie 71V416 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Matningsström 200mA | ||
Renesas Electronics asynkrona statiska RAM-center pwr & gnd-pinout 4 194 304-bitars höghastighetsstatiskt RAM organiserat som 256 K x 16. Den är tillverkad med högpresterande, mycket tillförlitlig CMOS-teknik. Denna toppmoderna teknik, kombinerad med innovativa kretsdesigntekniker, ger en kostnadseffektiv lösning för höghastighetsminnesbehov. Den har en utgångsaktiveringsstift som fungerar så snabbt som 5 ns, med adressåtkomsttider så snabbt som 10 ns. Den är förpackad i en 44-stifts, 400 mil plast SOJ och en 44-stifts, 400 mil TSOP typ II-paket och en 48-bollars rutnätmatris, 9 mm x 9 mm paket.
256 K x 16 avancerat CMOS-statiskt RAM med hög hastighet
JEDEC central strömförsörjning/GND-pinout för minskat brus.
Ett chip-val plus ett utgångsaktiveringsstift
Tvåvägs dataingångar och -utgångar direkt LVTTL-kompatibla
Låg strömförbrukning via chipavstängning
Övre och nedre byte-aktiveringsstift
Enkel 3,3 V strömförsörjning
Finns i 44-stifts, 400 mil SOJ-paket i plast och ett 44-stifts, 400 mil TSOP-paket typ II och en 48-bollig rutnätmatris, 9 mm x 9 mm paket.
Gröna delar finns tillgängliga, se beställningsinformation
Relaterade länkar
- Renesas Electronics SRAM-minne, 4 MB 44 Ben
- Renesas Electronics SRAM-minne, 1 MB 44 Ben
- Renesas Electronics SRAM, 4 MB, TSOP 44 Ben
- Renesas Electronics Statiskt RAM-minne, 4 MB, TSOP-44 44 Ben
- Renesas Electronics SRAM, 4 MB, SOJ-44 48 Ben
- Renesas Electronics SRAM, 1 MB, SOJ-44 44 Ben
- Renesas Electronics SRAM, 1 MB 44 Ben
- Renesas Electronics SRAM, 1 MB, TSOP 44 Ben