Renesas Electronics SRAM-minne, 4 MB 44 Ben
- RS-artikelnummer:
- 254-4967
- Tillv. art.nr:
- 71V416S12PHGI
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
95,42 kr
(exkl. moms)
119,28 kr
(inkl. moms)
Lägg till 6 enheter för att få fri frakt
I lager
- Dessutom levereras 94 enhet(er) från den 16 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 95,42 kr |
| 10 - 24 | 87,92 kr |
| 25 - 49 | 86,13 kr |
| 50 - 74 | 84,45 kr |
| 75 + | 82,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-4967
- Tillv. art.nr:
- 71V416S12PHGI
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Minnesstorlek | 4MB | |
| Produkttyp | SRAM-minne | |
| Organisation | 256k x 16 | |
| Antal ord | 262144 Words | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 12ns | |
| Adressbussbredd | 18bit | |
| Tidsinställningstyp | Asynkron | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Antal ben | 44 | |
| Standarder/godkännanden | JEDECLVTTL-Compatible | |
| Serie | 71V416 | |
| Höjd | 9mm | |
| Längd | 9mm | |
| Matningsström | 200mA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Minnesstorlek 4MB | ||
Produkttyp SRAM-minne | ||
Organisation 256k x 16 | ||
Antal ord 262144 Words | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 12ns | ||
Adressbussbredd 18bit | ||
Tidsinställningstyp Asynkron | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Antal ben 44 | ||
Standarder/godkännanden JEDECLVTTL-Compatible | ||
Serie 71V416 | ||
Höjd 9mm | ||
Längd 9mm | ||
Matningsström 200mA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Renesas Electronics asynchronous static RAM center pwr & gnd pinout 4,194,304-bit high-speed static RAM organized as 256K x 16. It is fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for highspeed memory needs. It has an output enable pin which operates as fast as 5 ns, with address access times as fast as 10 ns. It is packaged in a 44-pin, 400 mil Plastic SOJ and a 44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x 9mm package.
256K x 16 advanced high-speed CMOS static RAM
JEDEC center power / GND pinout for reduced noise.
One chip select plus one output enable pin
Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible
Low power consumption via chip deselect
Upper and lower byte Enable Pins
Single 3.3 V power supply
Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package and a 44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x 9mm package.
Green parts available, see ordering information
Relaterade länkar
- Renesas Electronics SRAM-minne, 4 MB 44 Ben
- Renesas Electronics SRAM-minne, 1 MB 44 Ben
- Renesas Electronics Statiskt RAM-minne TSOP-44 44 Ben
- Renesas Electronics SRAM TSOP 44 Ben
- Renesas Electronics SRAM SOJ-44 48 Ben
- Renesas Electronics SRAM-minne, 1 MB
- Renesas Electronics SRAM SOJ-44 44 Ben
- Renesas Electronics SRAM, 1 MB 44 Ben