Infineon SRAM, 16 MB, TSOP 54 Ben

Antal (1 enhet)*

336,98 kr

(exkl. moms)

421,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +336,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
181-7613
Tillv. art.nr:
CY7C1061GE30-10ZSXI
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

SRAM

Minnesstorlek

16MB

Organisation

1M x 16 Bit

Antal ord

1M

Antal bitar per ord

16

Maximal slumpmässig åtkomsttid

10ns

Adressbussbredd

16bit

Maximal klockfrekvens

100MHz

Minsta matningsspänning

2.2V

Tidsinställningstyp

Asynkron

Fästetyp

Yta

Maximal matningsspänning

3.6V

Kapseltyp

TSOP

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Antal ben

54

Bredd

10.26 mm

Höjd

1.05mm

Längd

22.51mm

Serie

CY7C1061GE

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Matningsström

110mA

CY7C1061G and CY7C1061GE are high-performance CMOS fast static RAM devices with embedded ECC. Both devices are offered in single and dual chip enable options and in multiple pin configurations. The CY7C1061GE device includes an ERR pin that signals a single-bit error-detection and correction event during a read cycle.

High speed

tAA = 10 ns/15 ns

Embedded error-correcting code (ECC) for single-bit error

correction[1, 2]

Low active and standby currents

ICC = 90 mA typical at 100 MHz

ISB2 = 20 mA typical

Operating voltage range: 1.65 V to 2.2 V, 2.2 V to 3.6 V, and

4.5 V to 5.5 V

1.0 V data retention

Transistor-transistor logic (TTL) compatible inputs and outputs

Error indication (ERR) pin to indicate 1-bit error detection and correction

Available in Pb-free 48-pin TSOP I, 54-pin TSOP II, and 48-ball VFBGA packages

Recently viewed