ISSI SRAM, 8 MB, BGA 48 Ben
- RS-artikelnummer:
- 170-2191
- Tillv. art.nr:
- IS62WV51216BLL-55BLI
- Tillverkare / varumärke:
- ISSI
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 170-2191
- Tillv. art.nr:
- IS62WV51216BLL-55BLI
- Tillverkare / varumärke:
- ISSI
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ISSI | |
| Produkttyp | SRAM | |
| Minnesstorlek | 8MB | |
| Antal ord | 512K | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 55ns | |
| Adressbussbredd | 19bit | |
| Minsta matningsspänning | 2.5V | |
| Tidsinställningstyp | Asynkron | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Kapseltyp | BGA | |
| Antal ben | 48 | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Serie | IS62WV51216BLL | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 8.8mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Matningsström | 5mA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ISSI | ||
Produkttyp SRAM | ||
Minnesstorlek 8MB | ||
Antal ord 512K | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 55ns | ||
Adressbussbredd 19bit | ||
Minsta matningsspänning 2.5V | ||
Tidsinställningstyp Asynkron | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Kapseltyp BGA | ||
Antal ben 48 | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Serie IS62WV51216BLL | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 8.8mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Matningsström 5mA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Statiskt RAM-minne, ISSI
Anoden ISSI Statiska RAM-produkter använder högpresterande CMOS-teknik. Det finns ett brett utbud av statiska RAM-minnen som inkluderar 5V asynkrona SRAM med hög hastighet, asynkrona SRAM med hög hastighet och låg effekt, asynkrona SRAM med 5V låg effekt, CMOS statiska RAM-minnen med ultralåg effekt och PowerSaverTM asynkrona SRAM med lägre effekt. ISSI SRAM-enheterna finns i en mängd olika spänningar, minnesstorlekar och olika organisationer. De är lämpliga i applikationer som CPU-cacheminne, inbäddade processorer, hårddiskar och switchar till industriell elektronik.
Strömförsörjning: 1.8V/3,3V/5V
Tillgängliga förpackningar: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
Konfigurationsalternativ tillgängliga: x8 och x16
ECC-funktion tillgänglig för asynkrona SRAM med hög hastighet