Winbond, SDRAM, 1 GB, Yta 16 bit, 95 °C, -40 °C, 78 Ben, VFBGA
- RS-artikelnummer:
- 242-0769
- Tillv. art.nr:
- W631GG8NB12I
- Tillverkare / varumärke:
- Winbond
Antal (1 fack med 210 enheter)*
7 095,27 kr
(exkl. moms)
8 869,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 210 + | 33,787 kr | 7 095,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 242-0769
- Tillv. art.nr:
- W631GG8NB12I
- Tillverkare / varumärke:
- Winbond
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Winbond | |
| Minnesstorlek | 1GB | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Databussbredd | 16bit | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 20ns | |
| Antal ord | 128M | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | VFBGA | |
| Antal ben | 78 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 95°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | W631GG6NB | |
| Höjd | 0.6mm | |
| Längd | 10.6mm | |
| Maximal matningsspänning | 1.575V | |
| Minsta matningsspänning | 1.425V | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Winbond | ||
Minnesstorlek 1GB | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Databussbredd 16bit | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 20ns | ||
Antal ord 128M | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp VFBGA | ||
Antal ben 78 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 95°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie W631GG6NB | ||
Höjd 0.6mm | ||
Längd 10.6mm | ||
Maximal matningsspänning 1.575V | ||
Minsta matningsspänning 1.425V | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Winbond SDRAM is a 1G bits DDR3 SDRAM which is organized as 8,388,608 words, 8 banks, 8 bits. This device achieves high speed transfer rates for various applications.
Two data transfers per clock cycle
Auto-precharge operation for read and write bursts
Differential clock inputs