Winbond, DDR2 SDRAM, 128 MB, Yta 16 bit, 95 °C, -40 °C, 84 Ben, TFBGA

Antal (1 fack med 209 enheter)*

4 150,322 kr

(exkl. moms)

5 187,798 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
209 +19,858 kr4 150,32 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-2580
Tillv. art.nr:
W9712G6KB25I
Tillverkare / varumärke:
Winbond
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Winbond

Minnesstorlek

128MB

Produkttyp

DDR2 SDRAM

Organisation

16M x 8 Bit

Databussbredd

16bit

Adressbussbredd

15bit

Antal bitar per ord

8

Maximal slumpmässig åtkomsttid

0.4ns

Antal ord

16M

Fästetyp

Yta

Kapseltyp

TFBGA

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Antal ben

84

Maximal arbetstemperatur

95°C

Längd

12.6mm

Serie

W9712G6KB

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

0.8mm

Bredd

8.1 mm

Maximal matningsspänning

1.9V

Matningsström

135mA

Fordonsstandard

Nej

Minsta matningsspänning

1.7V

The W9712G6KB is a 128M bits DDR2 SDRAM and speed involving -25, 25I and -3.

Double Data Rate architecture: two data transfers per clock cycle

CAS Latency: 3, 4, 5 and 6

Burst Length: 4 and 8

Bi-directional, differential data strobes (DQS and /DQS ) are transmitted / received with data

Edge-aligned with Read data and center-aligned with Write data

DLL aligns DQ and DQS transitions with clock

Differential clock inputs (CLK and /CLK)

Data masks (DM) for write data

Commands entered on each positive CLK edge, data and data mask are referenced to both edges of /DQS

Posted /CAS programmable additive latency supported to make command and data bus efficiency

Read Latency = Additive Latency plus CAS Latency (RL = AL + CL)

Off-Chip-Driver impedance adjustment (OCD) and On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

Auto-precharge operation for read and write bursts

Auto Refresh and Self Refresh modes

Precharged Power Down and Active Power Down

Write Data Mask

Write Latency = Read Latency - 1 (WL = RL - 1)

Interface: SSTL_18

Relaterade länkar