ISSI, SDRAM, 128 MB, Ytmontering 32 bit, 85 °C, -40 °C, 90 Ben, BGA

ISSI 128 Mb SDRAM är ett snabb CMOS, dynamiskt minne med slumpmässig åtkomst som är utformat för att fungera i 3,3 V VDD- och 3,3 V VDDQ-minnessystem som innehåller 134 217 728 bitar. Internt konfigurerad som ett quad-bank DRAM med ett synkront gränssnitt. Varje 33 554 432-bitars bank är organiserad som 4 096 rader med 256 kolumner med 32 bitar. Alla signaler registreras på klocksignalens positiva kant, CLK. Alla ingångar och utgångar är LVTTL-kompatibla. 128 Mb SDRAM har möjligheten att synkront springa data med en hög datahastighet med automatisk generering av kolumnadresser, möjligheten att interleave mellan interna banker för att dölja laddningstiden och möjligheten att slumpmässigt ändra kolumnadresser på varje klockcykel under sprängningsåtkomst.

Automatisk uppdatering (CBR)