Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 4 GB, Yta 16 bit, 95 °C, -40 °C, 78 Ben, FBGA-78 Boll
- RS-artikelnummer:
- 588-646
- Tillv. art.nr:
- IM4G08D3FDBG-107I
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Antal (1 enhet)*
46,37 kr
(exkl. moms)
57,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 18 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 46,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 588-646
- Tillv. art.nr:
- IM4G08D3FDBG-107I
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Intelligent Memory | |
| Minnesstorlek | 4GB | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Organisation | 64M x 8 | |
| Databussbredd | 16bit | |
| Maximal klockfrekvens | 1066MHz | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 1.25ns | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kapseltyp | FBGA-78 Boll | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal ben | 78 | |
| Maximal arbetstemperatur | 95°C | |
| Serie | IM4G(04/08)D3FDB | |
| Längd | 10.6mm | |
| Bredd | 7.5 mm | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Minsta matningsspänning | 1.283V | |
| Maximal matningsspänning | 1.45V | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Intelligent Memory | ||
Minnesstorlek 4GB | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Organisation 64M x 8 | ||
Databussbredd 16bit | ||
Maximal klockfrekvens 1066MHz | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 1.25ns | ||
Fästetyp Yta | ||
Kapseltyp FBGA-78 Boll | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal ben 78 | ||
Maximal arbetstemperatur 95°C | ||
Serie IM4G(04/08)D3FDB | ||
Längd 10.6mm | ||
Bredd 7.5 mm | ||
Höjd 1.2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Minsta matningsspänning 1.283V | ||
Maximal matningsspänning 1.45V | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
The Intelligent Memory Double Data Rate (DDR) DRAM offers higher module density, faster data transmission speeds, and lower voltage requirements compared to DDR3 devices. It also supports data masking per byte on write commands, enhancing data management and reliability.
Programmable burst length and CAS latency
Auto refresh and self refresh
Write leveling