Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 4 GB, Yta 16 bit, 95 °C, -40 °C, 78 Ben, FBGA-78 Boll
- RS-artikelnummer:
- 588-644
- Tillv. art.nr:
- IM4G08D3FDBG-107
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
82,37 kr
(exkl. moms)
102,962 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 41,185 kr | 82,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 588-644
- Tillv. art.nr:
- IM4G08D3FDBG-107
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Intelligent Memory | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Minnesstorlek | 4GB | |
| Databussbredd | 16bit | |
| Maximal klockfrekvens | 1066MHz | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 1.25ns | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | FBGA-78 Boll | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal ben | 78 | |
| Maximal arbetstemperatur | 95°C | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Minsta matningsspänning | 1.283V | |
| Maximal matningsspänning | 1.45V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Intelligent Memory | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Minnesstorlek 4GB | ||
Databussbredd 16bit | ||
Maximal klockfrekvens 1066MHz | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 1.25ns | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp FBGA-78 Boll | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal ben 78 | ||
Maximal arbetstemperatur 95°C | ||
Höjd 1.2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Minsta matningsspänning 1.283V | ||
Maximal matningsspänning 1.45V | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
The Intelligent Memory Double Data Rate (DDR) DRAM offers higher module density, faster data transmission speeds, and lower voltage requirements compared to DDR3 devices. It also supports data masking per byte on write commands, enhancing data management and reliability.
Programmable burst length and CAS latency
Auto refresh and self refresh
Write leveling
Relaterade länkar
- Intelligent Memory AEC-Q100 4 GB 95 °C 78 Ben, FBGA-78 Boll
- Intelligent Memory AEC-Q100 8 GB 95 °C 78 Ben, FBGA-78 Boll
- Intelligent Memory AEC-Q100 1 GB 95 °C 78 Ben, FBGA-78 Boll
- Alliance Memory 4 GB 95 °C 78 Ben, FBGA-78 Boll
- Alliance Memory 4 GB 95 °C 78 Ben, FBGA-78 Boll
- Intelligent Memory AEC-Q100 4 GB 95 °C 96 Ben, FBGA-96 Boll
- Intelligent Memory AEC-Q100 8 GB 95 °C 96 Ben, FBGA-96 Boll
- Alliance Memory 4 GB 95 °C 78 Ben, FBGA-78 Boll
