AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 3 Ben Låg sida Låg sida BTS3125TF TO-252

Se alla Effektswitchkretsar
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 671,36 kr

(exkl. moms)

13 339,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Rulle(ar)
Per rulle
Per enhet*
1 - 110 671,36 kr4,269 kr
2 - 29 604,22 kr3,842 kr
3 +8 643,80 kr3,458 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-0735
Tillv. art.nr:
BTS3125TFATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Effektstyrningsswitch

Strömbrytartyp

Låg sida

Strömbrytartopologi

Låg sida

Motstånd vid påslagning RdsOn

0.323Ω

Kapseltyp

TO-252

Maximal matningsspänning

10V

Antal ben

3

Maximal arbetstemperatur

150°C

Driftström

2A

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

BTS3125TF

Fordonsstandard

AEC-Q

The Infineon HITFET smart low side power switch is a 125 mΩ single channel smart low-side power switch within a PG-TO252-3 package providing embedded protective functions. The power transistor is built by an N-channel vertical power MOSFET. The device is monolithically integrated. The HITFET smart low side power switch is automotive qualified and is optimized for 12 V automotive applications.

Single channel device

Very low output leakage current in OFF state

Electrostatic discharge protection

Embedded protection functions

Relaterade länkar