AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 3 Ben Låg sida Låg sida BTS3125TF TO-252

Se alla Effektswitchkretsar
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

54,54 kr

(exkl. moms)

68,18 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 469 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Förpackning(ar)
Per förpackning
Per enhet*
1 - 154,54 kr10,908 kr
2 - 1951,97 kr10,394 kr
20 - 4950,51 kr10,102 kr
50 - 9949,17 kr9,834 kr
100 +30,80 kr6,16 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-0736
Tillv. art.nr:
BTS3125TFATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Strömbrytartopologi

Låg sida

Produkttyp

Effektstyrningsswitch

Strömbrytartyp

Låg sida

Motstånd vid påslagning RdsOn

0.323Ω

Kapseltyp

TO-252

Antal ben

3

Maximal matningsspänning

10V

Driftström

2A

Maximal arbetstemperatur

150°C

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q

Serie

BTS3125TF

The Infineon HITFET smart low side power switch is a 125 mΩ single channel smart low-side power switch within a PG-TO252-3 package providing embedded protective functions. The power transistor is built by an N-channel vertical power MOSFET. The device is monolithically integrated. The HITFET smart low side power switch is automotive qualified and is optimized for 12 V automotive applications.

Single channel device

Very low output leakage current in OFF state

Electrostatic discharge protection

Embedded protection functions

Relaterade länkar