Infineon, NVRAM 45 ns, 4 MB, Yta, 85 °C, -40 °C, 44 Ben, TSOP
- RS-artikelnummer:
- 194-9072
- Tillv. art.nr:
- CY14B104LA-ZS25XI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
341,82 kr
(exkl. moms)
427,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 316 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 341,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 194-9072
- Tillv. art.nr:
- CY14B104LA-ZS25XI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Minnesstorlek | 4MB | |
| Produkttyp | NVRAM | |
| Organisation | 512 k x 8 Bit | |
| Gränssnittstyp | Parallell | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 45ns | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kapseltyp | TSOP | |
| Antal ben | 44 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 10.26 mm | |
| Höjd | 1.04mm | |
| Längd | 18.51mm | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta matningsspänning | 2.7V | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Antal ord | 512K | |
| Matningsström | 70mA | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Minnesstorlek 4MB | ||
Produkttyp NVRAM | ||
Organisation 512 k x 8 Bit | ||
Gränssnittstyp Parallell | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 45ns | ||
Fästetyp Yta | ||
Kapseltyp TSOP | ||
Antal ben 44 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 10.26 mm | ||
Höjd 1.04mm | ||
Längd 18.51mm | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta matningsspänning 2.7V | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Antal ord 512K | ||
Matningsström 70mA | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM (SRAM), with a non-volatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16-bits each. The embedded non-volatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing reliable non-volatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while independent non-volatile data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the non-volatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the non-volatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.
Relaterade länkar
- Infineon 4Mbit 45ns NVRAM CY14B104LA-ZS25XI
- Infineon 1Mbit 45ns NVRAM CY14B101NA-ZS25XI
- Infineon 4Mbit 45ns NVRAM CY14B104NA-ZS45XI
- Infineon 4Mbit 45ns NVRAM CY14B104NA-ZSP45XI
- Infineon 4Mbit 45ns NVRAM CY14B104NA-BA25XI
- Infineon 1Mbit 45ns NVRAM CY14B101LA-SP25XI
- Infineon 1Mbit 45ns NVRAM CY14B101KA-SP45XI
- Infineon 1Mbit NVRAM CY14V101QS-SF108XI
