Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 106 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 915-4941
- Tillv. art.nr:
- IRF3808STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
190,18 kr
(exkl. moms)
237,725 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 370 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 38,036 kr | 190,18 kr |
| 25 - 45 | 36,132 kr | 180,66 kr |
| 50 - 120 | 34,63 kr | 173,15 kr |
| 125 - 245 | 32,30 kr | 161,50 kr |
| 250 + | 30,396 kr | 151,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 915-4941
- Tillv. art.nr:
- IRF3808STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 106A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 106A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 150nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals Power MOSFET 60V till 80V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 106 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 75 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 269 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 183 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 246 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 128 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 100 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
