Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100A06N1,S4X(S
- RS-artikelnummer:
- 827-6097
- Tillv. art.nr:
- TK100A06N1,S4X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 4 enheter)*
135,52 kr
(exkl. moms)
169,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 28 enhet(er) från den 29 december 2025
- Dessutom levereras 748 enhet(er) från den 11 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 33,88 kr | 135,52 kr |
| 20 - 76 | 28,28 kr | 113,12 kr |
| 80 - 196 | 24,725 kr | 98,90 kr |
| 200 - 396 | 23,493 kr | 93,97 kr |
| 400 + | 22,905 kr | 91,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-6097
- Tillv. art.nr:
- TK100A06N1,S4X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | TK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 140nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.5 mm | |
| Length | 10mm | |
| Height | 15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series TK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.5 mm | ||
Length 10mm | ||
Height 15mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET Transistors, Toshiba
relaterade länkar
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
