Sök efter MPN

Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK

RS-artikelnummer:: 896-2647
Tillv. art.nr:: TK10A80E,S4X(S
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK

Tillfälligt slut

RS-artikelnummer:: 896-2647
Tillv. art.nr:: TK10A80E,S4X(S
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Toshiba
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	10A
	Maximal källspänning för dränering Vds	800V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	TK
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	50W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	46nC
	Framåtriktad spänning Vf	-1.7V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	15mm
	Längd	10mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Toshiba
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A
	Maximal källspänning för dränering Vds 800V
	Kapseltyp TO-220
	Serie TK
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 50W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC
	Framåtriktad spänning Vf -1.7V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 15mm
	Längd 10mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK

MOSFET-transistorer, Toshiba

Relaterade länkar