Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB027N10N3GATMA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

61,38 kr

(exkl. moms)

76,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 300 enhet(er) levereras från den 02 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +30,69 kr61,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
825-9235
Tillv. art.nr:
IPB027N10N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

155nC

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.57mm

Standards/Approvals

No

Length

10.31mm

Width

9.45 mm

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

relaterade länkar