N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB027N10N3GATMA1

RS-artikelnummer:: 825-9235
Tillv. art.nr:: IPB027N10N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB027N10N3GATMA1

Pris (ex. moms) Var (i ett paket med 2)

50,18 kr

(exkl. moms)

62,72 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans när den finns i lager*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per förpackning**
2 +	50,18 kr	100,36 kr

RS-artikelnummer:: 825-9235
Tillv. art.nr:: IPB027N10N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

IPB027N10N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	120 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Package Type	D2PAK (TO-263)
Series	OptiMOS™ 3
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	4.5 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	300 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Width	9.45mm
Typical Gate Charge @ Vgs	155 nC @ 10 V
Length	10.31mm
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	4.57mm

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB027N10N3GATMA1

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over